Odpowiednik parametryczny

SIHU4N80E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHU4N80E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHU4N80E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 4,3A (Tc) 69W (Tc) Otwór przelotowy IPAK (TO-251) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 32 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 622 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 69W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia IPAK (TO-251) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,27Ohm przy 2A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHU4N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | 2 894 | 742-SIHU4N80AE-GE3-ND | 8,29000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,84709 zł | 8 541,27 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,84709 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,50192 zł |


