
SIHP24N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHP24N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHP24N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 184mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 89 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1836 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 208W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 15,81000 zł | 15,81 zł |
| 10 | 10,41300 zł | 104,13 zł |
| 100 | 7,35220 zł | 735,22 zł |
| 500 | 6,04646 zł | 3 023,23 zł |
| 1 000 | 5,62718 zł | 5 627,18 zł |
| 2 000 | 5,49458 zł | 10 989,16 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,81000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 19,44630 zł |




