Name: SIHP15N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP15N65E-GE3-ND
Price: 6.9664 PLN
Availability: OutOfStock

SIHP15N65E-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Similar

FCP13N60N

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Arkusz danych

Similar

FCP16N60

onsemi

W magazynie: 1 726

Cena jednostkowa : 18,52000 zł

Arkusz danych

Similar

FCP260N65S3

onsemi

W magazynie: 775

Cena jednostkowa : 13,91000 zł

Arkusz danych

Similar

IPP60R280C6XKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 5,69744 zł

Arkusz danych

Similar

IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 76

Cena jednostkowa : 10,65000 zł

Arkusz danych

Similar

IPP65R310CFDAAKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 4,92284 zł

Arkusz danych

Similar

STP16N65M5

STMicroelectronics

W magazynie: 940

Cena jednostkowa : 14,57000 zł

Arkusz danych

Similar

STP18N65M5

STMicroelectronics

W magazynie: 777

Cena jednostkowa : 14,27000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHP15N65E-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHP15N65E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHP15N65E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIHP15N65E-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	280mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1640 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	34W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AB
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	SIHP15

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	5,66374 zł	5 663,74 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.