Name: SIHH068N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 43.1115 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHH068N60E-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIHH068N60E-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIHH068N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHH068N60E-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 34A (Tc) 202W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIHH068N60E-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 80 nC @ 10 V
Seria E	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2650 pF @ 100 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 202W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 8 x 8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 34A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu SIHH068
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 68mOhm przy 15A, 10V