Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SIHG40N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHG40N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHG40N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 40A (Tc) 329W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 197 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4436 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 329W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247AC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 75mOhm przy 20A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 201 | FCH077N65F-F155-ND | 39,61000 zł | Similar |
| IXFX64N60P | IXYS | 759 | IXFX64N60P-ND | 100,22000 zł | Similar |
| TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK31N60WS1VF-ND | 45,75000 zł | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 55,77000 zł | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 44,02000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 30,84000 zł | 30,84 zł |
| 25 | 18,36480 zł | 459,12 zł |
| 100 | 15,39160 zł | 1 539,16 zł |
| 500 | 13,01406 zł | 6 507,03 zł |
| 1 000 | 12,36582 zł | 12 365,82 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 30,84000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 37,93320 zł |






