Name: SIHG11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG11N80E-GE3-ND
Price: 8.86279 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SIHG11N80E-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHG11N80E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHG11N80E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	E
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	440mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1670 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	179W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247AC
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	SIHG11

Cena jednostkowa bez VAT:	7,20552 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,86279 zł

SIHG11N80E-GE3