
SIHG039N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHG039N60EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHG039N60EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 61A (Tc) 357W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 126 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4323 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 357W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247AC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 40mOhm przy 32A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 55,77000 zł | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 44,02000 zł | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 38,82000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 48,40000 zł | 48,40 zł |
| 10 | 33,75700 zł | 337,57 zł |
| 100 | 25,48320 zł | 2 548,32 zł |
| 500 | 22,35718 zł | 11 178,59 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 48,40000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 59,53200 zł |

