Name: SIHFL110TR-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL110TR-BE3TR-ND
Price: 4.2435 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHFL110TR-BE3
Numer produktu DigiKey	742-SIHFL110TR-BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIHFL110TR-BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIHFL110TR-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHFL110TR-BE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	37 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.3 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 180 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,5A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 540mOhm przy 900mA, 10V	Bazowy numer produktu SIHFL110
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)