Odpowiednik parametryczny



SIHF9640S-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHF9640S-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHF9640S-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 500mOhm przy 6,6A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1200 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3W (Ta), 125W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 3,23361 zł | 3 233,61 zł |
| 2 000 | 3,00382 zł | 6 007,64 zł |
| 3 000 | 2,88676 zł | 8 660,28 zł |
| 5 000 | 2,88225 zł | 14 411,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,23361 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,97734 zł |




