Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHF12N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHF12N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHF12N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 12A (Tc) 33W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 380mOhm przy 6A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1224 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 33W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220, pełny pakiet | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 870
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,57000 zł | 12,57 zł |
| 50 | 6,29320 zł | 314,66 zł |
| 100 | 5,68420 zł | 568,42 zł |
| 500 | 4,61618 zł | 2 308,09 zł |
| 1 000 | 4,27302 zł | 4 273,02 zł |
| 2 000 | 3,98457 zł | 7 969,14 zł |
| 5 000 | 3,70301 zł | 18 515,05 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,46110 zł |
