Similar



SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB6N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB6N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 600mOhm przy 3A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 820 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 78W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,74000 zł | 9,74 zł |
| 10 | 6,27000 zł | 62,70 zł |
| 100 | 4,30200 zł | 430,20 zł |
| 500 | 3,46038 zł | 1 730,19 zł |
| 1 000 | 3,18995 zł | 3 189,95 zł |
| 2 000 | 2,96257 zł | 5 925,14 zł |
| 5 000 | 2,83650 zł | 14 182,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,74000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,98020 zł |


