


SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB33N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 600 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 99mOhm przy 16,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 150 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3508 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 278W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 24,96000 zł | 24,96 zł |
| 10 | 16,83600 zł | 168,36 zł |
| 100 | 12,22990 zł | 1 222,99 zł |
| 500 | 10,26710 zł | 5 133,55 zł |
| 1 000 | 10,15650 zł | 10 156,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 24,96000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 30,70080 zł |

