SIHB22N65E-GE3 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 1 795
Cena jednostkowa : 25,21000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 578
Cena jednostkowa : 18,53000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 095
Cena jednostkowa : 15,22000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 10 460
Cena jednostkowa : 14,22000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4 207
Cena jednostkowa : 28,08000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,49463 zł

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 12,96507 zł

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 819
Cena jednostkowa : 16,37000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 3 954
Cena jednostkowa : 21,15000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 487
Cena jednostkowa : 13,57000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 688
Cena jednostkowa : 27,43000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 905
Cena jednostkowa : 10,05000 zł
Arkusz danych
Kanał N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

Numer produktu DigiKey
SIHB22N65E-GE3-ND
Producent
Numer produktu producenta
SIHB22N65E-GE3
Opis
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SIHB22N65E-GE3 Modele
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
110 nC @ 10 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
±30V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2415 pF @ 100 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
227W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
180mOhm przy 11A, 10V
Bazowy numer produktu
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (12)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
FCB20N60FTMonsemi1 795FCB20N60FTMCT-ND25,21000 złBezpośrednie
FCB199N65S3onsemi578488-FCB199N65S3CT-ND18,53000 złSimilar
IPB60R160C6ATMA1Infineon Technologies1 095IPB60R160C6ATMA1CT-ND15,22000 złSimilar
IPB60R190C6ATMA1Infineon Technologies10 460IPB60R190C6ATMA1CT-ND14,22000 złSimilar
IXFA22N65X2IXYS4 207238-IXFA22N65X2-ND28,08000 złSimilar
Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1 0007,76511 zł7 765,11 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:7,76511 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,55109 zł