Bezpośrednie
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar



SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB22N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB22N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIHB22N65E-GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 110 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2415 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 227W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 180mOhm przy 11A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | 25,21000 zł | Bezpośrednie |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | 18,53000 zł | Similar |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | 15,22000 zł | Similar |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10 460 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | 14,22000 zł | Similar |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 28,08000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 7,76511 zł | 7 765,11 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,76511 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,55109 zł |







