Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHB21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHB21N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB21N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIHB21N80AE-GE3 Modele |
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 72 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1388 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 32W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 235mOhm przy 11A, 10V |
Zgłoś błąd informacji o produkcie
Dokumenty i media
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 583
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 14,94000 zł | 14,94 zł |
| 10 | 9,79900 zł | 97,99 zł |
| 100 | 6,87780 zł | 687,78 zł |
| 500 | 5,62958 zł | 2 814,79 zł |
| 1 000 | 5,22871 zł | 5 228,71 zł |
| 2 000 | 4,89175 zł | 9 783,50 zł |
| 5 000 | 4,68196 zł | 23 409,80 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 14,94000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 18,37620 zł |
