


SIHB21N60EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB21N60EF-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB21N60EF-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 84 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2030 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 227W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 176mOhm przy 11A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 28,08000 zł | Similar |
| STB24NM60N | STMicroelectronics | 688 | 497-11211-1-ND | 27,43000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 19,61000 zł | 19,61 zł |
| 50 | 10,19640 zł | 509,82 zł |
| 100 | 9,28760 zł | 928,76 zł |
| 500 | 7,69624 zł | 3 848,12 zł |
| 1 000 | 7,18530 zł | 7 185,30 zł |
| 2 000 | 6,75595 zł | 13 511,90 zł |
| 5 000 | 6,75070 zł | 33 753,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 19,61000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 24,12030 zł |

