


SIHB17N80E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHB17N80E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB17N80E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 122 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2408 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 208W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 290mOhm przy 8,5A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 22,77000 zł | 22,77 zł |
| 10 | 15,24300 zł | 152,43 zł |
| 100 | 10,97710 zł | 1 097,71 zł |
| 500 | 9,15784 zł | 4 578,92 zł |
| 1 000 | 8,57393 zł | 8 573,93 zł |
| 2 000 | 8,25884 zł | 16 517,68 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 22,77000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 28,00710 zł |

