Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHB12N65E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB12N65E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB12N65E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 70 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1224 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 156W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 380mOhm przy 6A, 10V | Bazowy numer produktu |
Zgłoś błąd informacji o produkcie
Dokumenty i media
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 3 316
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,90000 zł | 13,90 zł |
| 50 | 7,02440 zł | 351,22 zł |
| 100 | 6,35640 zł | 635,64 zł |
| 500 | 5,18604 zł | 2 593,02 zł |
| 1 000 | 4,81009 zł | 4 810,09 zł |
| 2 000 | 4,49409 zł | 8 988,18 zł |
| 5 000 | 4,25016 zł | 21 250,80 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,90000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 17,09700 zł |
