
SIHA21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHA21N65EF-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIHA21N65EF-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHA21N65EF-GE3 |
Opis | N-CHANNEL 650V |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 106 nC @ 10 V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2322 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 35W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220, pełny pakiet |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 180mOhm przy 11A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 21,44000 zł | 21,44 zł |
| 10 | 14,30600 zł | 143,06 zł |
| 100 | 10,26360 zł | 1 026,36 zł |
| 500 | 8,53956 zł | 4 269,78 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 9,38412 zł | 9 384,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 21,44000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 26,37120 zł |

