Similar
Similar
Similar
Similar

SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHA21N60EF-E3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHA21N60EF-E3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 28 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, pełny pakiet |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 84 nC @ 10 V |
Opakowanie Rurka | Vgs (maks.) ±30V |
Status części Aktywny | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2030 pF @ 100 V |
Typ FET | Straty mocy (maks.) 35W (Tc) |
Technologia | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220, pełny pakiet |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Obudowa / skrzynia |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 176mOhm przy 11A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | 22,08000 zł | Similar |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | 20,43000 zł | Similar |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | 18,56000 zł | Similar |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | 15,69000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 7,96849 zł | 7 968,49 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,96849 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,80124 zł |


