Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 19.1265 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIDR680DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIDR680DP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 32,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8DC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 105 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5150 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8DC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32,8A (Ta), 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Bazowy numer produktu SIDR680
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,9mOhm przy 20A, 10V