Name: SIDR638DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR638DP-T1-GE3TR-ND
Price: 12.6444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIDR638DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIDR638DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIDR638DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIDR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIDR638DP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8DC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIDR638DP-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,88mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	204 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10500 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8DC
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIDR638