Name: SIA459EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA459EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 4.0221 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIA459EDJ-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIA459EDJ-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIA459EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIA459EDJ-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 9A (Tc) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 885 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,9W (Ta), 15,6W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -50°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SC-70-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SC-70-6
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SIA459
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 5A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 12 178

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)