Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 2.5215 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8819EDB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8819EDB-T2-E1
Opis	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 2,9A (Ta) 900mW (Ta) Montaż powierzchniowy 4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 3,7V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	80mOhm przy 1,5A, 3,7V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	650 pF @ 6 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	900mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Obudowa / skrzynia	4-XFBGA
Bazowy numer produktu	SI8819

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)