Name: SI8818EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI8818EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.49425 PLN
Availability: OutOfStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8818EDB-T2-E1
Numer produktu DigiKey	742-SI8818EDB-T2-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8818EDB-T2-E1
Opis	N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 1,6A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy 4-Microfoot

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	128mOhm przy 1A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	206 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-Microfoot
Obudowa / skrzynia	4-XFBGA, CSPBGA

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)