Name: SI8457DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8457DB-T1-E1TR-ND
Price: 5.166 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8457DB-T1-E1
Numer produktu DigiKey	SI8457DB-T1-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8457DB-T1-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8457DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8457DB-T1-E1
Opis	MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 6,5A (Ta) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI8457DB-T1-E1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 900mV przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 93 nC @ 8 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2900 pF @ 6 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12 V	Obudowa dostawcy urządzenia 4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,5A (Ta)	Obudowa / skrzynia 4-UFBGA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI8457
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19mOhm przy 3A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 028

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)