Name: SI8409DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8409DB-T1-E1TR-ND
Price: 7.38 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI8409DB-T1-E1
Numer produktu DigiKey	SI8409DB-T1-E1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI8409DB-T1-E1CT-ND - Taśma cięta (CT) SI8409DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI8409DB-T1-E1
Opis	MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 4,6A (Ta) 1,47W (Ta) Montaż powierzchniowy 4-Microfoot
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI8409DB-T1-E1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	46mOhm przy 1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,47W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-Microfoot
Obudowa / skrzynia	4-XFBGA, CSPBGA
Bazowy numer produktu	SI8409