Name: SI7898DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-E3TR-ND
Price: 11.5251 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7898DP-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7898DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7898DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7898DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7898DP-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 3A (Ta) 1,9W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7898DP-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	85mOhm przy 3,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,9W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SI7898