Name: SI7898DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-E3TR-ND
Price: 12.1032 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7898DP-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7898DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7898DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7898DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7898DP-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 3A (Ta) 1,9W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7898DP-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 85mOhm przy 3,5A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,9W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3A (Ta)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu SI7898