Name: SI7812DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7812DN-T1-GE3TR-ND
Price: 13.2963 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7812DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI7812DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7812DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7812DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7812DN-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 16A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7812DN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 840 pF @ 35 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 75 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 16A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI7812
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 37mOhm przy 7,2A, 10V