SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7456DP-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI7456DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7456DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7456DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7456DP-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 5,7A (Ta) 1,9W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25mOhm przy 9,3A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 44 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 1,9W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,7A (Ta)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu SI7456

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (4)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
SIR606BDP-T1-RE3	Vishay Siliconix	6 845	SIR606BDP-T1-RE3CT-ND	7,68000 zł	MFR Recommended
RS1G300GNTB	Rohm Semiconductor	16 132	RS1G300GNTBCT-ND	10,92000 zł	Similar
RS1L120GNTB	Rohm Semiconductor	6	RS1L120GNTBCT-ND	8,91000 zł	Similar
RS3L045GNGZETB	Rohm Semiconductor	833	RS3L045GNGZETBCT-ND	4,45000 zł	Similar