Name: SI7434ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7434ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 12.4599 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7434ADP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	SI7434ADP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7434ADP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7434ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7434ADP-T1-RE3
Opis	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	42 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 3,7A (Ta), 12,3A (Tc) 5W (Ta), 54,3W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16.5 nC @ 10 V
Seria ThunderFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 600 pF @ 125 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 5W (Ta), 54,3W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 250 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,7A (Ta), 12,3A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI7434
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 150mOhm przy 3,7A, 10V