Name: SI7111EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7111EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 6.1869 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7111EDN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI7111EDN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7111EDN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7111EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7111EDN-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 60A (Tc) 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7111EDN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,6V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 46 nC @ 2.5 V
Seria TrenchFET® Gen III	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5860 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 52W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI7111
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,55mOhm przy 15A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 11 995

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)