Name: SI5442DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5442DU-T1-GE3TR-ND
Price: 4.5018 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI5442DU-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI5442DU-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI5442DU-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI5442DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI5442DU-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 25A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® ChipFet pojedynczy
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI5442DU-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 8A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1700 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® ChipFet pojedynczy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® ChipFET™ pojedynczy
Bazowy numer produktu	SI5442