Name: SI4483ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4483ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 7.8843 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4483ADY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4483ADY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4483ADY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4483ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4483ADY-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 19,2A (Tc) 2,9W (Ta), 5,9W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,8mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3900 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,9W (Ta), 5,9W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	SI4483