Name: SI4455DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4455DY-T1-GE3TR-ND
Price: 10.332 PLN
Availability: OutOfStock

SI4455DY-T1-GE3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

onsemi

W magazynie: 3 902

Cena jednostkowa : 8,87000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4455DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4455DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4455DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4455DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4455DY-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	63 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 150 V 2A (Ta) 5,9W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4455DY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 42 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1190 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 5,9W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 150 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu SI4455
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 295mOhm przy 4A, 10V