Name: SI4434ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4434ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 13.161 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4434ADY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4434ADY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4434ADY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4434ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4434ADY-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	42 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 2,8A (Ta), 4,1A (Tc) 2,9W (Ta), 6W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16.5 nC @ 10 V
Seria ThunderFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 600 pF @ 125 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,9W (Ta), 6W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 250 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,8A (Ta), 4,1A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 7,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI4434
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 150mOhm przy 2,8A, 10V