
SI4425BDY-T1-E3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI4425BDY-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4425BDY-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4425BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI4425BDY-T1-E3 |
Opis | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 8,8A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI4425BDY-T1-E3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 12mOhm przy 11,4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 1,5W (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,70000 zł | 6,70 zł |
| 10 | 4,26400 zł | 42,64 zł |
| 100 | 2,86580 zł | 286,58 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,70000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,24100 zł |


