Name: SI4153DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND
Price: 5.5227 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4153DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI4153DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4153DY-T1-GE3
Opis	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 14,3A (Ta), 19,3A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI4153DY-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9,5mOhm przy 10A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen III	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 93 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±25V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3600 pF @ 15 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14,3A (Ta), 19,3A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 13 621

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)