Name: SI4062DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4062DY-T1-GE3TR-ND
Price: 10.7379 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI4062DY-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI4062DY-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI4062DY-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI4062DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI4062DY-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 32,1A (Tc) 7,8W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,2mOhm przy 20A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,6V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 60 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3175 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 7,8W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32,1A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI4062

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 10 877

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	8,73000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,73790 zł

SI4062DY-T1-GE3