Name: SI3483DDV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3483DDV-T1-BE3TR-ND
Price: 4.1943 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI3483DDV-T1-BE3
Numer produktu DigiKey	742-SI3483DDV-T1-BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI3483DDV-T1-BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI3483DDV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI3483DDV-T1-BE3
Opis	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 6.4A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 31.2mOhm przy 5A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen IV	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 14.5 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +16V, -20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 580 pF @ 15 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 3W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6.4A (Ta), 8A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 640

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)