Name: SI3456DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3456DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4723 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI3456DDV-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI3456DDV-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI3456DDV-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI3456DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI3456DDV-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 6,3A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	40mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	325 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	SI3456

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 68 021

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)