Name: SI2387DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND
Price: 3.8376 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2387DS-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI2387DS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI2387DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2387DS-T1-GE3
Opis	P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 80 V 2,1A (Ta), 3A (Tc) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 164mOhm przy 2,1A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria TrenchFET® Gen IV	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10.2 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 395 pF @ 40 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,1A (Ta), 3A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 0

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)