Name: SI2371EDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2371EDS-T1-BE3TR-ND
Price: 2.214 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2371EDS-T1-BE3
Numer produktu DigiKey	742-SI2371EDS-T1-BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI2371EDS-T1-BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI2371EDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2371EDS-T1-BE3
Opis	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 3,7A (Ta), 4,8A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 45mOhm przy 3,7A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 35 nC @ 10 V
Status części Aktywny	Vgs (maks.) ±12V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 1W (Ta), 1,7W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,7A (Ta), 4,8A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 16 958

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)