Name: SI2365EDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.8942 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2365EDS-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI2365EDS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI2365EDS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2365EDS-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 5,9A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	32mOhm przy 4A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta), 1,7W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3 (TO-236)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	SI2365

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 29 614

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)