
SI2329DS-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI2329DS-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 8 V 6A (Tc) 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI2329DS-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 8 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 1,2V, 4,5V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 30mOhm przy 5,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 800mV przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Vgs (maks.) | ±5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1485 pF @ 4 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2,5W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | SOT-23-3 (TO-236) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 3,48000 zł | 3,48 zł |
| 10 | 2,17400 zł | 21,74 zł |
| 100 | 1,41530 zł | 141,53 zł |
| 500 | 1,08864 zł | 544,32 zł |
| 1 000 | 0,98330 zł | 983,30 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,84950 zł | 2 548,50 zł |
| 6 000 | 0,78211 zł | 4 692,66 zł |
| 9 000 | 0,74777 zł | 6 729,93 zł |
| 15 000 | 0,70920 zł | 10 638,00 zł |
| 21 000 | 0,68637 zł | 14 413,77 zł |
| 30 000 | 0,68625 zł | 20 587,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,48000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,28040 zł |










