Name: SI2329DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2329DS-T1-GE3TR-ND
Price: 4.5018 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2329DS-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2329DS-T1-GE3
Opis	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 8 V 6A (Tc) 2,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI2329DS-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 800mV przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 29 nC @ 4.5 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1485 pF @ 4 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 8 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI2329
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 30mOhm przy 5,3A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 92 293

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)