Name: SI2309CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2309CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 3.8376 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2309CDS-T1-BE3
Numer produktu DigiKey	742-SI2309CDS-T1-BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI2309CDS-T1-BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI2309CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2309CDS-T1-BE3
Opis	P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	63 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 1,2A (Ta), 1,6A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4.1 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 210 pF @ 30 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 1W (Ta), 1,7W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,2A (Ta), 1,6A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 345mOhm przy 1,25A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 11 500

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)