SI2308DS-T1-E3 Vishay Siliconix | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SI2308DS-T1-E3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

W magazynie: 703 617

Cena jednostkowa : 2,23000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 30 138

Cena jednostkowa : 1,62000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2308DS-T1-E3
Numer produktu DigiKey	SI2308DS-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2308DS-T1-E3
Opis	MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 2A (Ta) 1,25W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI2308DS-T1-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 240 pF @ 25 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 1,25W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI2308
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 160mOhm przy 2A, 10V