Name: SI2302HDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2302HDS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.722 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2302HDS-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SI2302HDS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI2302HDS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI2302HDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2302HDS-T1-GE3
Opis	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,6A (Ta) 710mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 57mOhm przy 3,6A, 4,5V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 850mV przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 710mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,6A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 980

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)