Name: SI2302CDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2302CDS-T1-BE3TR-ND
Price: 3.4194 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI2302CDS-T1-BE3
Numer produktu DigiKey	742-SI2302CDS-T1-BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SI2302CDS-T1-BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SI2302CDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI2302CDS-T1-BE3
Opis	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 2,6A (Ta) 710mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	57mOhm przy 3,6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	850mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	710mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3 (TO-236)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 11

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)