Name: SI1416EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1416EDH-T1-GE3TR-ND
Price: 3.0504 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI1416EDH-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI1416EDH-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI1416EDH-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI1416EDH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI1416EDH-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 3,9A (Tc) 2,8W (Tc) Montaż powierzchniowy SC-70-6
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 58mOhm przy 3,1A, 10V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,4V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±12V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,8W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia SC-70-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,9A (Tc)	Obudowa / skrzynia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 10V	Bazowy numer produktu SI1416

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 93 252

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	2,48000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,05040 zł

SI1416EDH-T1-GE3