Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 2.214 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI1012CR-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI1012CR-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 20V SC75A
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Montaż powierzchniowy SC-75A
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI1012CR-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 2 nC @ 8 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 43 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 240mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SC-75A
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 630mA (Ta)	Obudowa / skrzynia SC-75, SOT-416
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SI1012
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 396mOhm przy 600mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 133

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)